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氧化鎘是一種新型的半導體氧化物，它的禁帶寬度約為2.2eV。氧化鎘薄膜通明呈淺黃色，在可見光范圍(380~780 nm)內具有較高的光學透過率(80 %~90 %)。氧化鎘本身不能作為復合中心，故不具有發光特性，這與其具有間接帶隙有關。通常情況下，氧化鎘薄膜的透過率首要受制備辦法、摻雜物種類、成長溫度、反應氣體分壓、襯底資料、退火條件及膜厚效應等因素的影響。
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